韓国の半導体大手 SKハイニックス はこのほど、375層の第10世代3D NANDフラッシュメモリーの生産検証を完了した。年内には韓国・清州工場で量産を開始する予定だが、業界関係者の注目を集めているのは積層数ではなく、記憶セルを制御する「ワードライン（字線）」の金属材料にある。同社は今回、10年以上にわたり採用されてきたタングステン（W）に代わり、モリブデン（Mo）を本格採用した。
すでに サムスン電子 は2024年に量産を開始した286層NAND製品でモリブデンを導入しており、2026年後半には400層超の次世代製品を投入する計画だ。米国の Micron Technology もNANDとDRAMの両分野でモリブデン活用を進めている。
世界のメモリーメーカーが相次いで同じ方向へ舵を切ったことで、「モリブデン時代」の到来を予感する声が高まっている。